國際高端專家先進技術課程
功率半導體器件的技術、挑戰與應用
組織機構：中國電源學會🙎、杏盛娱乐
支持單位：國家外國專家局、上海電源學會
時間地點：2013年10月21-26日 上海
課程宗旨👩💻： 本課程旨在國內首次全面系統地介紹最新功率半導體器件🫳🏿，包括：碳化矽和砷化镓技術🙍🏿♂️，深入分析高頻開關器件的結構、參數特性、器件選擇與保護，著重破解業界在電力電子器件大功率應用的難題。通過課程的學習和相互交流🫳，能更深刻理解重要的功率器件的原理與參數特性，掌握應用技術關鍵，為未來在各個領域的應用奠定堅實的技術基礎👵。
在國家外國專家局“國際高端專家項目”的資助下，特邀德國科學院院士⏯🥷，國際著名電力電子專家Leo Lorenz博士作為主講者🏩，他曾在全球各地的著名高等學校🎓、研究機構和國際會議講授過該類課程🫷，深受歡迎。這次🧜🏻♂️，還邀請了中國電源學會學術委員會主任、浙江大學徐德鴻教授、上海交通大學蔡旭教授🧑🏽🏫、法國海軍學院J. Charpentier博士等國內外知名學者與著名廠商一同授課🎥。
參加對象： 全國各高校的青年教師、博士生、杏盛；
科研機構和企業的研發人員和工程師
課程安排：
時間 | 內容 | 主講人 |
10月21日（周一） | ||
上午 | 開幕式 | 中國電源學會領導🦵：開幕詞 杏盛娱乐校領導🧔🏻♂️：歡迎詞 |
上午 | 第一講：電力電子器件的新技術與發展趨勢 | 浙江大學徐德鴻教授 |
下午 | 第二講🤩：電力半導體器件基礎與物理理解 2.1 Key device concepts and electrical characteristics 2.2 Challenges in SMART Power Integration 2.3 Basic semiconductor structures of major devices and their comparison based on carrier concentration profiles 2.4 Semiconductor material and conductivity 2.5 PN- structure, SCR, blocking capability | 德國科學院院士Leo Lorenz博士 |
10月22日（周二） | ||
上午 | 第三講：快速開關二極管器件 3.1 Reverse Blocking Capability 3.2 Build up and remove Electron-Hole-Plasma during turn-on and turn-off intervals 3.3 Dynamic performance of FRED-Diode 3.4 Limits of FRED-Diode and development trend | 德國科學院院士Leo Lorenz博士 |
下午 | 第四講🖍：電力電子器件在船舶與海洋工程方面的應用 4.1 power converters for marine energy system 4.2 power converters for ship electric propulsions | 法國海軍學院Charpentier博士 |
10月23日（周三） | ||
上午 | 第五講：GaN器件原理及應用 5.1 GaN Physics and development history 5.2 Device design & package scheme 5.3 600-V GaN device performance 5.4 GaN boost circuits 5.5 GaN resonant circuits 5.6 GaN bridge circuits | 美國Transphorm公司 Dr. Yifeng Wu |
下午 | 第六講：風力發電中的電力電子技術 6.1風電機組變流器 6.2海上風電多端柔性直流 6.3風電場動態無功支撐 | 上海交通大學蔡旭教授 |
10月24日（周四） | ||
上午 | 第七講⇒：單極型器件的概念與Power MOSFET 7.1 Basics of MOS-controlled device 7.2 Power MOSFET cell structure, static and switching behaviour 7.3 Device parasitics and impact on dynamic performance 7.4 Super junction device, characteristics and difference to conventional technologies 7.5 New development in low voltage power MOSFET and challenges in application 7.6 Device limits, avalanche behaviour and future design criteria 7.7 Driving and protection | 德國科學院院士Leo Lorenz博士 |
下午 | 第八講🦧：大功率電力電子器件及其應用 8.1 IGBT 芯片技術和以及針對應用提升性能 8.2 IGBT在輸配電的應用趨勢 | 德國英飛淩半導體公司 陳子穎博士 |
10月25日（周五） | ||
上午 | 第九講：基於碳化矽的單極型功率器件 9.1 SiC schotty diode and electrical performance 9.2 Device limits and benefits in application 9.3 SiC-JEFT and electrical behaviour 9.4 Future development trends 9.5 Ultra fast switching-challenges in Power Converter Systems | 德國科學院院士Leo Lorenz博士 |
下午 | 第十講：電力電子器件的保護與散熱 10.1 半導體熔斷器技術 10.2 母線排在變換器的應用 10.3 電力電子器件的冷卻板 | 法國Mersen電氣保護公司 |
10月26日（周六） | ||
上午 | 第十一講MOS控製的雙極型器件 11.1 Basics of carrier modulated devices 11.2 Static and dynamic performance (electron-hole-plasma modulation) 11.3 Overload characteristics, short circuit capability and destruction modes 11.4 Avalanche characteristics (dynamic evaluation behaviour) 11.5 di/dt, dv/dt-limits and physical effect 11.6 Driving and protection circuit for low- and high-power devices 11.7 Impact of fast switching to circuit and device parasitics 11.8 Thermal management, and loss calculation | 德國科學院院士Leo Lorenz博士 |
下午 | 參觀上海洋山深水港 | |
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